این مقاله معرفی ساختار جدیدی از مبدل های منبع جریان است که می تواند به صورت جایگزین در کاربردهای توان پایین/ متوسط اجرا شود. این ساختار از بلوک های مبدل های ماژولۀ متصل سری تشکیل شده است. اساس این ساختار چندسطحی که در این مقاله پیشنهاد شده، اتصال متناسب منابع جریان DC در طرحی مناسب با کمک مبدل H-bridge است. مبدل پیشنهادی، جریان خروجی AC چندسطحی مورد نیاز را با کلیدزنی جدید پیشنهادی تولید می کند. در این روش توصیه شده تعداد منابع جریان DC، کلید ها و مدار های راه انداز مربوط در مقایسه با مبدل های چندسطحی قدیمی، کاهش پیدا کرده اند و در نتیجه هزینه و حجم در ساختار پیشنهادی کمتر شده است. برای نشان دادن مزیت های ساختار پیشنهادی و عملی بودن آن، مبدل شبیه سازی شده و همچنین نتایج آزمایشگاهی برای یک مبدل تک فاز هفت سطحه آماده و ارائه شده است.

در این مقاله یک مبدل منبع جریان نیم پل با مدار کمکی جدید ارایه گردیده است. مدار کمکی در این مبدل نه تنها شرایط سوییچینگ نرم را برای سوییچ های مبدل فراهم می سازد بلکه از جهش های ولتاژ دو سر سوییچ های اصلی در هنگام خاموش شدن در اثر سلف نشتی ترانسفورمر نیز جلوگیری می نماید. لذا راندمان مبدل پیشنهادی جدید در مقایسه با مبدل های منبع جریان نیم پل پیشین افزایش یافته و استرس روی کلیدهای اصلی نیز به شدت کاهش می یابد. از طرفی سوییچ های کمکی که به مبدل اضافه شده خود به صورت نرم کلیدزنی می گردند و در نتیجه باعث تحمیل تلهات قابل توجهی به مبدل نمی گردند. از طرفی کنترل مبدل به صورت PWM باقی می ماند و سوییچ های کمکی به صورت مکمل با سوییچ های اصلی کلیدزنی می گردند. لذا پیاده سازی مدار کنترل مبدل پیشنهادی بسیار ساده و کم هزینه خواهد بود. از این رو مبدل پیشنهادی نسبت به مبدل های منبع جریان نیم پل متداول فرکانس عملکرد بالاتر، اندازه المان راکتیو کوچکتر،راندمان بالاتر و هزینه کمتری خواهد داشت. برای تایید روابط تئوری مبدل، نتایج یک نمونه آزمایشگاهی 100 وات از آن ارایه شده است.

در این مقاله یک مبدل DC-DC برای کاربردهای ولتاژ قوی و توان زیاد پیشنهاد شده است. مبدل جدید از نوع کلید زنی در جریان صفر است. این مبدل از پارامترهای غیر ایده آل ترانسفورمر (نظیر سلف نشتی و خازن پراکندگی) به عنوان المانهای رزونانس استفاده می کند. از کنترل PWM شیفت فاز با فرکانس ثابت برای حصول کلیدزنی نرم استفاده شده است. در این مبدل تمام سوییچ ها در شرایط ZCS خاموش می شود، همچنین از یک مدار چند برابر کننده ولتاژ در طرف ثانویه ترانسفورمر استفاده شده تا علاوه بر کاهش نسبت دور ترانسفورمر، ولتاژ روی دیودهای یکسو ساز نیز کاهش یابد. در این مقاله تحلیل حالت دایمی مبدل ارایه و مهمترین خصوصیات آن بررسی شده است. نتایج شبیه سازی های ارایه شده عملکرد صحیح مبدل را نشان می دهد.

در این مقاله یک مبدل کلیدزنی نرم بهره ولتاژ بالای غیرایزوله با ورودی جریان ارائه شده است. مبدل پیشنهادی ترکیبی از یک مبدل بوست کلیدخازنی دو وضعیتی (2-SSC) و یک سلول کلیدزنی نرم فعال است. در این مبدل برای تحقق افزایش بهره ولتاژ از یک سلف کوپل شده استفاده شده است. این مبدل در مقایسه با مبدل های مشابه دارای بهره ولتاژ بالاتری است. با استفاده از یک مدار کلپ اکتیو در این مبدل انرژی سلف نشتی جذب شده است، از اینرو کلیدها در شرایط ZVS کار می کنند. همچنین تنش ولتاژ بر روی کلید ها پایین است. در این مقاله عملکرد اولیه مبدل به طور کامل تشریح شده و نتایج شبیه سازی و یک نمونه آزمایشگاهی ساخته شده برای ولتاژ ورودی 20 ولت و خروجی 400 ولت در توان 200 وات به طور کامل ارائه شده است.

در دهه های اخیر اینورترها نقش مهمی در سیستم های قدرت ایفا نموده اند و بهبود عملکرد آن ها هم از لحاظ ساختاری و هم از لحاظ کنترلی جزو علایق محققان بوده است. در این مقاله یک اینورتر چندسطحی دوطرفه متقارن جدید با هدف کاهش تعداد اجزاء کلیدزنی به ویژه برای تعداد سطوح خروجی زیاد ارایه شده است. این ساختار شامل منابع جریان مستقیم ورودی و کلیدهای قدرت و دیود قدرت است. این توپولوژی در مقایسه با توپولوژی های کلاسیک و ساختارهای متقارن ارایه شده اخیر که سعی در کاهش ادوات کلیدزنی دارند، در تعداد سطح مشابه حاوی تعداد کلید نیمه هادی قدرت کمتری می باشد. از همین رو هزینه کلی مبدل در مقایسه با ساختارهای مشابه مقرون به صرفه می باشد. برای نشان دادن کارایی ساختار پیشنهادی یک مقایسه جامع بین توپولوژی پیشنهادی و توپولوژی های کلاسیک و ساختارهای متقارن ارایه شده اخیر از حیث تعداد سوییچ، تعداد درایور، تلفات توان و هزینه مبدل ارایه شده است. توپولوژی پیشنهادی برای اینورتر یازده سطحی تک فاز مورد بررسی قرار گرفته و در محیط Matlab/Simulink شبیه سازی شده و نمونه آزمایشگاهی آن برای تایید کارکرد اینورتر پیشنهادی ساخته شده است.

مبدل چندسطحی مدولار خازن شناور به عنوان یک توسعه سخت افزاری از مبدل چندسطحی مدولار مرسوم با هدف کاهش ریپل ولتاژ خازن سلول ها در کاربرد محرکه الکتریکی در سرعت های پایین معرفی شده است. ریپل ولتاژ خازن سلول ها در این مبدل تنها با تزریق جریان چرخشی فرکانس بالا میان ساق ها کاهش می یابد. در روش کنترل مرسوم این مبدل، مؤلفه جریان چرخشی با هدف جبران سازی کامل ریپل ولتاژ در فرکانس های پایین تزریق می شود که منجر به افزایش غیر ضروری دامنه جریان در ساق های مبدل می شود. در این مقاله با استخراج رابطه میان ریپل ولتاژ خازن سلول ها و دامنه جریان چرخشی فرکانس بالا، سیستم کنترل مبدل اصلاح می گردد. روش کنترل پیشنهادی قادر است تا با تزریق دامنه مناسب از جریان چرخشی، ریپل ولتاژ را در تمام بازه فرکانس به جای جبران سازی کامل، در یک محدوده مجاز کنترل کند. نشان داده می شود که با جبران سازی جزئی و کنترل ریپل ولتاژ خازن سلول ها در محدوده استاندارد ولتاژ کلیدهای قدرت، علاوه بر کاهش دامنه جریان ساق، تلفات محرکه الکتریکی به شکل قابل توجهی کاهش می یابد. نتایج شبیه سازی و آزمایش های عملی عملکرد موفق روش پیشنهادی را تصدیق می کند.